[发明专利]一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202111294979.4 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114023877B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王红军;张韩宇;朱媛媛;魏红 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法，选择衬底，并在其上沉积导电薄膜作为底电极；在底电极上进行氧化物纳米颗粒掺杂二维卤化物钙钛矿成膜，作为阻变器件的存储层；在阻变存储层上沉积导电薄膜作为顶电极。本发明方法制备的基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器，结构简单，具有较高的稳定性，材料来源广泛，具有成本低，制备工艺简单的优点，有利用规模化应用，具有良好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 二维 卤化物 钙钛矿 薄膜 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111294979.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种刷新墨水屏的方法、装置、设备、介质及程序产品
- 下一篇：一种切削刀具
