[发明专利]一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，采用溅射或沉积工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；将纳米颗粒和二维有机无机卤化物钙钛矿混合后溶解于过量的二甲基亚砜溶液中，经水浴超声处理获得沉积阻变薄膜的先驱溶液，纳米颗粒为氧化物TiO₂，二维有机无机卤化物钙钛矿为PEA₂PbBr₄；使用先驱溶液在底电极上进行氧化物纳米颗粒掺杂二维卤化物钙钛矿成膜，作为存储层；采用溅射工艺在存储层上沉积导电薄膜作为顶电极，制备得到基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器。

2.根据权利要求1所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，衬底为导电玻璃或者硅片。

3.根据权利要求1所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，纳米颗粒和二维有机无机卤化物钙钛矿的质量比为（1~50）：100。

4.根据权利要求1所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，水浴超声处理的时间为10~60分钟。

5.根据权利要求1所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，以500~3000rpm的转速将先驱溶液旋涂于底电极上，旋涂时间为30~90s；然后在高纯氩气环境下进行退火处理，经自然冷却后得到存储层。

6.根据权利要求5所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，在旋涂最后5~15s加入氯苯作为反溶剂。

7.根据权利要求5所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，退火处理的温度为100~200℃，时间为10~50分钟。

8.根据权利要求1所述基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，溅射工艺采用的圆形掩模版的直径为20~200μm。

9.根据权利要求1所述方法制备的基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器，其特征在于，从下至上依次包括衬底、底电极、氧化物纳米颗粒掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜和顶电极。

10.根据权利要求9所述的基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器，其特征在于，底电极的厚度为80~200纳米，顶电极的厚度为50~300纳米。