[发明专利]一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备在审
| 申请号： | 202111284113.5 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114038738A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 贺晓彬;杨涛;唐波;刘金彪;李亭亭;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。方法包括：在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束胶层；通过电子束曝光技术在所述电子束胶层上形成第一曝光图形；以所述电子束胶层为掩膜刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形；将所述目标曝光图形转移到所述衬底上，避免了在只通过电子束胶层将曝光图形转移至衬底时由于使用的电子束胶层厚度很薄导致该电子束胶无法用于刻蚀阻挡层，无法将形成的图形传递至衬底表面的问题，解决了由于电子束胶无法通过常规的去胶工艺进行去除导致电子束返工过程无法进行的问题，提高了曝光的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 曝光 图形 转移 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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