[发明专利]一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成电子束胶层；

通过电子束曝光技术，在所述电子束胶层上形成第一曝光图形；

以所述电子束胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形；

将所述目标曝光图形转移到所述衬底上。

2.根据权利要求1所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述目标曝光图形为对所述第一曝光图形进行缩小处理得到的图形。

3.根据权利要求2所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述以所述电子束胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形包括：

以所述电子束胶层为掩膜，通过调整刻蚀所述硬掩模层的刻蚀参数，将所述第一曝光图形缩小转移至所述硬掩模层上，得到所述目标曝光图形。

4.根据权利要求3所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述刻蚀参数包括刻蚀气体的压力、刻蚀气体发生设备的电极电压、刻蚀气体的流量或刻蚀气体的种类中的至少一者。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述硬掩模层包括旋涂碳层；所述在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层，包括：

通过旋涂的方式在所述衬底上形成所述旋涂碳层。

6.根据权利要求1-4任一项所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述目标曝光图形的线宽小于所述第一曝光图形的线宽。

7.根据权利要求1-4任一项所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述硬掩模层与所述电子束胶层的刻蚀选择比大于预设数值。

8.根据权利要求1-4任一项所述的电子束曝光图形的转移方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度大于或者等于80纳米，小于或者等于600纳米。

9.一种电子束曝光图形的转移装置，其特征在于，所述装置包括：

硬掩模层形成模块，用于在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层；

电子束胶层形成模块，用于在所述硬掩模层上形成电子束胶层；

第一曝光图形形成模块，用于通过电子束曝光技术，在所述电子束胶层上形成第一曝光图形；

目标曝光图形形成模块，用于以所述电子束胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形；

目标曝光图形转移模块，用于将所述目标曝光图形转移到所述衬底上。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器；和其上存储有指令的一个或多个机器可读介质，当由所述一个或多个处理器执行时，使得执行权利要求1至8任一所述的电子束曝光图形的转移方法。