[发明专利]双极脉冲磁控溅射系统及提高沉积离子流量和能量方法在审
| 申请号： | 202111271649.3 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114032518A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李刘合;韩明月;罗阳;李多铎;朱祥瑞;徐晔;罗斯达;彭徽 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京市京轩律师事务所 11566 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极脉冲磁控溅射系统及提高沉积离子流量和能量方法。该磁控溅射系统包含真空室和电源设备，所述真空室包括溅射靶、辅助阳极，所述电源包含双极性脉冲磁控溅射电源、电流单向导通部件以及辅助阳极供电电源，其中溅射靶与双极性脉冲磁控溅射电源的脉冲输出端连接，(i)通过在辅助阳极与双极脉冲磁控溅射电源的脉冲输出端之间串联一个电流单向导通部件，利用单向导电特性实现在辅助阳极上施加正脉冲电压，或者(ii)将辅助阳极与其他辅助阳极供电电源的电压输出端子连接，从而利用辅助阳极优化离子的扩散以及增强离子的能量，提高沉积离子能量。本发明能够有效地优化离子扩散，提高沉积离子的能量及流量。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 磁控溅射 系统 提高 沉积 离子 流量 能量 方法 | ||
【主权项】：
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