[发明专利]大功率半导体器件在审
| 申请号： | 202111264988.9 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114038808A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王飞;曾文彬;孙文伟;操国宏;陈芳林;石铿;董超;邹平;刘应;唐柳生 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/552;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;冯景多 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种大功率半导体器件。该大功率半导体器件包括：半导体芯片；半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部；内部驱动板，其位于大功率半导体器件的底部；门极铜块，其设置在芯片门极区域与内部驱动板之间；铜块通过弹性导电组件下压位于内部驱动板上的MOSFET；弹性导电组件包括用于调节MOSFET所受压力大小的碟簧。利用该大功率半导体器件，其铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的MOSFET，从而确保各个MOSFET所受压力的均匀一致，降低接触热阻与大功率半导体器件的内部压降，并通过控制弹性导电组件中碟簧的压缩量，将压力的大小控制在一定的范围内，防止压坏MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111264988.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
