[发明专利]大功率半导体器件

权利要求书

1.一种大功率半导体器件，其特征在于，包括：

半导体芯片，其包括环状的芯片门极区域、位于所述芯片门极区域内的第一芯片阴极区域和位于所述芯片门极区域外的第二芯片阴极区域；所述半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部；

内部驱动板，其位于大功率半导体器件的底部；

内阴极铜块，其设置在所述第一芯片阴极区域与所述内部驱动板之间；

外阴极铜块，其设置在所述第二芯片阴极区域与所述内部驱动板之间；

门极铜块，其设置在所述芯片门极区域与所述内部驱动板之间；

所述门极铜块、所述内阴极铜块或所述外阴极铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的门极MOSFET、内阴极MOSFET或外阴极MOSFET；所述弹性导电组件包括用于调节所述门极MOSFET、所述内阴极MOSFET或所述外阴极MOSFET所受压力大小的弹性件；

管盖，其设置在所述半导体芯片上方；

管座，其设置在所述内部驱动板下方；以及，

管壳，其环绕所述管座和所述管盖设置。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体器件，其特征在于，所述弹性导电组件还包括：

底盖，其底面与所述门极MOSFET、所述内阴极MOSFET或所述外阴极MOSFET贴合；

顶盖，其顶面与所述门极铜块、所述内阴极铜块或所述外阴极铜块贴合；以及

螺钉，其连接所述底盖和所述顶盖，所述螺钉穿过所述顶盖与所述底盖螺纹配合；

所述顶盖在下压状态下能够沿所述螺钉下移；所述弹性件为碟簧，所述碟簧套设在所顶盖的外侧且位于所述顶盖与所述底盖之间。

3.根据权利要求2所述的大功率半导体器件，其特征在于，所述门极铜块、所述内阴极铜块或所述外阴极铜块与所述弹性导电组件接触的底面设置有沉台，所述顶盖的顶面与所述沉台的台阶面卡合。

4.根据权利要求1所述的大功率半导体器件，其特征在于，所述门极铜块、所述内阴极铜块或所述外阴极铜块与所述半导体芯片接合的结构的截面从接合面往下逐渐变大。

5.根据权利要求1所述的大功率半导体器件，其特征在于，所述门极铜块、所述内阴极铜块或所述外阴极铜块沿所述大功率半导体器件的径向的内侧壁和外侧壁上设置有内坡面和外坡面，所述内坡面和所述外坡面对称设置。

6.根据权利要求1所述的大功率半导体器件，其特征在于，还包括门极引出端子，所述门极引出端子的内腿位于所述管壳内部且与所述内部驱动板的门极区域导通，所述门极引出端子的主体贯穿所述管壳，所述门极引出端子的外腿位于所述管壳外部。

7.根据权利要求6所述的大功率半导体器件，其特征在于，所述门极引出端子上开设有凹槽，所述凹槽的开口位于所述门极引出端子的主体的内侧，所述凹槽沿所述大功率半导体器件的径向延伸。

8.根据权利要求6所述的大功率半导体器件，其特征在于，所述门极引出端子的主体由4J29合金材料制成，所述门极引出端子的内腿和所述门极引出端子的外腿由纯铜材料制成。

9.根据权利要求6所述的大功率半导体器件，其特征在于，还包括门极引出环，所述门极引出环贯穿所述管壳并烧结在所述管壳中。

10.根据权利要求6所述的大功率半导体器件，其特征在于，还包括外部接口板，所述外部接口板与所述门极引出端子通过螺钉、绝缘套连接，所述外部接口板与所述门极引出环通过螺钉、绝缘压条连接；所述外部接口板上焊接有SMA接头。

11.根据权利要求10所述的大功率半导体器件，其特征在，所述SMA接头采用同轴电缆连接方式。