[发明专利]一种多结太阳电池结构及其制备方法

摘要

本申请公开了一种多结太阳电池结构及其制备方法，该多结太阳电池结构包括衬底和设置于衬底上的多个子电池，该多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底方向依次排布的基区和发射区，发射区包括沿背离基区方向依次排布的第一发射区和第二发射区，基区和第一发射区均为InxGaAs层，第二发射区为GaInP层，即通过在发射区与基区连接的前一部分采用与基区相同材料的InxGaAs层，使得InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰偏离发射区和基区之间PN结处的空间电荷区，从而减小InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰对发射区光生载流子向基区收集的影响，提高收集效率，改善太阳电池的转换效率。