[发明专利]一种多结太阳电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多结太阳电池结构，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上的多个子电池，所述多个子电池包括InGaAs子电池；

其中，所述InGaAs子电池包括沿背离所述衬底的方向依次排布的基区和发射区，所述基区为In_xGaAs层，所述发射区包括沿背离所述基区的方向依次排布的第一发射区和第二发射区，所述第一发射区为In_xGaAs层，所述第二发射区为GaInP层，所述基区的掺杂类型和所述发射区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述发射区还包括：位于所述基区和所述第一发射区之间的第三发射区，所述第三发射区为In_yGaAs层，且所述第三发射区的In组分大于所述基区的In组分。

3.根据权利要求2所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述基区的In组分以及所述第一发射区的In组分取值范围为0-0.6，包括端点值；

所述第三发射区的In组分与所述基区的In组分的差值不大于0.3。

4.根据权利要求2所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述第三发射区的厚度取值范围为2nm-20nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述第一发射区的厚度取值范围为10nm-50nm，包括端点值；

所述第二发射区的厚度取值范围为20nm-200nm，包括端点值。

6.根据权利要求1-5任一项所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述InGaAs子电池还包括：位于所述基区背离所述发射区一侧的背场层，所述背场层为AlInGaAs层或GaInP层，所述背场层的掺杂类型和所述基区的掺杂类型相同。

7.根据权利要求6所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述InGaAs子电池还包括：位于所述发射区背离所述基区一侧的窗口层，所述窗口层为GaInP层或AlGaInP层或AlInP层，所述窗口层的掺杂类型和所述发射区的掺杂类型相同。

8.根据权利要求7所述的多结太阳电池结构，其特征在于，所述多个子电池包括沿背离所述衬底的方向依次排布的第一子电池、第二子电池和第三子电池，其中，所述第一子电池为Ge子电池，所述第二子电池为所述InGaAs子电池，所述第三子电池为AlGaInP子电池，所述第一子电池和所述第二子电池通过沿背离所述衬底的方向依次排布的第一隧穿结和布拉格反射层连接，所述第二子电池和所述第三子电池通过第二隧穿结连接。

9.一种多结太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成多个子电池，所述多个子电池包括InGaAs子电池，所述InGaAs子电池包括沿背离所述衬底的方向依次排布的基区和发射区，所述发射区包括沿背离所述基区的方向依次排布的第一发射区和第二发射区；

所述InGaAs子电池的形成过程包括：

在背离所述衬底的方向上形成所述基区，所述基区为In_xGaAs层；

在所述基区背离所述衬底的一侧形成所述第一发射区，所述第一发射区为In_xGaAs层；

在所述第一发射区背离所述基区的一侧形成所述第二发射区，所述第二发射区为GaInP层；

其中，所述基区的掺杂类型和所述发射区的掺杂类型相反。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述发射区还包括位于所述基区和所述第一发射区之间的第三发射区，在形成所述第一发射区之前，所述InGaAs子电池的形成过程还包括：

在所述基区背离所述衬底的一侧形成所述第三发射区，所述第三发射区为In_yGaAs层，且所述第三发射区的In组分大于所述基区的In组分。