[发明专利]一种硅基氮化镓器件的近结散热方法有效
| 申请号： | 202111248653.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113990826B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘超;陈航 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L21/335;H01L21/336;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种硅基氮化镓器件的近结散热方法，包括步骤：对生长在硅衬底上的GaN层Ⅰ和硅衬底进行刻蚀，在GaN层Ⅰ上形成平行排列的V形缺口，每个V形缺口的底部设置有狭缝，所述狭缝垂直延伸至硅衬底内部；利用XeF |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 散热 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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