[发明专利]用于高电流横向功率半导体器件的器件拓扑在审
| 申请号： | 202111237743.7 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114447108A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 侯赛因·穆萨维;爱德华·麦克罗比 | 申请（专利权）人： | GaN系统公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/778;H01L23/50;H01L27/06 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 林栋 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种横向功率半导体器件结构包括在有源拓扑上的焊盘，其中优化片上互连金属化层和接触焊盘位置以降低互连电阻。对于横向GaN HEMT，其中漏极、源极和栅极指状电极在有源区的第一和第二边缘延伸，该源极和漏极总线在有源区的第一和第二边缘的位置中间穿过有源区，与源极指状物和漏极指状物的第一和第二部分互连，该指状物向有源区的第一和第二边缘横向延伸。外部接触焊盘放置在源极和漏极总线上。对于给定的管芯尺寸，该互连结构降低了源极和漏极金属互连中电流通路的长度，并提供了例如较低的互连电阻、每单位有源区更大的载流量和每个管芯更大的有源区利用率中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电流 横向 功率 半导体器件 器件 拓扑 | ||
【主权项】：
暂无信息
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