[发明专利]LET值仿真方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111235714.7 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN113901702A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 郭红霞;刘晔;琚安安;欧阳晓平;钟向丽;冯亚辉;张凤祁;张鸿 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G06F30/25 分类号: G06F30/25
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 陈超
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种LET值仿真方法,包括:建立器件模型,器件模型包含灵敏体积区域;建立粒子输运模型;设置粒子源、及粒子源中粒子入射LET值,向器件模型发射N个粒子;计算N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl,及在灵敏体积区域的有效LET值Leff,Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。本发明提出的技术方案,通过建立器件模型及粒子输运模型,计算粒子在器件灵敏体积区域的有效LET值,缓解了采用粒子入射LET值计算单粒子翻转截面难以表征实际物理过程的技术问题。
搜索关键词: let 仿真 方法 装置
【主权项】:
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