[发明专利]LET值仿真方法及装置在审
申请号: | 202111235714.7 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN113901702A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 郭红霞;刘晔;琚安安;欧阳晓平;钟向丽;冯亚辉;张凤祁;张鸿 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | G06F30/25 | 分类号: | G06F30/25 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 411100 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | let 仿真 方法 装置 | ||
1.一种LET值仿真方法,其特征在于,包括:
建立器件模型,所述器件模型包含灵敏体积区域;
建立粒子输运模型;
设置粒子源、及所述粒子源中粒子入射LET值,向所述器件模型发射N个粒子;
计算所述N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl,及在灵敏体积区域的有效LET值Leff,所述Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
获取所述器件模型灵敏体积区域的临界能量;
统计单粒子翻转事件总数NSEU,其中一个所述粒子导致所述沉积能量大于临界能量时,记为一次单粒子翻转事件;
计算单粒子翻转截面σ,其中A为粒子垂直入射范围内的器件模型表面积。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:
设置所述粒子源中粒子入射LET值为L1…LK,其中K>1;
计算单粒子翻转截面σ1…σK,及在所述灵敏体积区域的有效LET值Leff1…LeffK;
设置曲线拟合模型,将Leff1…LeffK与σ1…σK的映射进行曲线拟合,获取所述器件模型的单粒子翻转的饱和截面σsat和LET阈值,其中σsat为所述粒子有效LET值趋近于无穷大时单粒子翻转截面的渐进值或饱和值,所述LET阈值为发生单粒子翻转所需的最小有效LET值。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述曲线拟合模型为Weibull函数。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建立器件模型的步骤包括:
根据所述器件的几何结构纵切图构建器件模型;或
对所述器件进行切割,确定所述器件材料,利用扫描电子显微镜确定所述材料几何形状及尺寸,构建器件模型。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述粒子输运模型包括:
粒子与所述器件模型灵敏体积区域原子核内部反应,及粒子留在或逃逸出所述灵敏体积区域的过程。
7.一种LET值仿真装置,其特征在于,包括:
模型构建模块,其用于建立器件模型及粒子输运模型,所述器件模型包含灵敏体积区域;
计算模块,其用于设置粒子源、及所述粒子源中粒子入射LET值,向所述器件模型发射N个粒子;计算所述N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl,及在灵敏体积区域的有效LET值Leff,所述Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述计算模块被进一步配置为:
获取所述器件模型灵敏体积区域的临界能量;
统计单粒子翻转事件总数NSEU,其中一个所述粒子导致所述沉积能量大于临界能量时,记为一次单粒子翻转事件;
计算单粒子翻转截面σ,其中A为粒子垂直入射范围内的器件模型表面积。
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