[发明专利]LET值仿真方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111235714.7 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN113901702A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 郭红霞;刘晔;琚安安;欧阳晓平;钟向丽;冯亚辉;张凤祁;张鸿 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G06F30/25 分类号: G06F30/25
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 陈超
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: let 仿真 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种LET值仿真方法,其特征在于,包括:

建立器件模型,所述器件模型包含灵敏体积区域;

建立粒子输运模型;

设置粒子源、及所述粒子源中粒子入射LET值,向所述器件模型发射N个粒子;

计算所述N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl,及在灵敏体积区域的有效LET值Leff,所述Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

获取所述器件模型灵敏体积区域的临界能量;

统计单粒子翻转事件总数NSEU,其中一个所述粒子导致所述沉积能量大于临界能量时,记为一次单粒子翻转事件;

计算单粒子翻转截面σ,其中A为粒子垂直入射范围内的器件模型表面积。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:

设置所述粒子源中粒子入射LET值为L1…LK,其中K>1;

计算单粒子翻转截面σ1…σK,及在所述灵敏体积区域的有效LET值Leff1…LeffK

设置曲线拟合模型,将Leff1…LeffK与σ1…σK的映射进行曲线拟合,获取所述器件模型的单粒子翻转的饱和截面σsat和LET阈值,其中σsat为所述粒子有效LET值趋近于无穷大时单粒子翻转截面的渐进值或饱和值,所述LET阈值为发生单粒子翻转所需的最小有效LET值。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述曲线拟合模型为Weibull函数。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建立器件模型的步骤包括:

根据所述器件的几何结构纵切图构建器件模型;或

对所述器件进行切割,确定所述器件材料,利用扫描电子显微镜确定所述材料几何形状及尺寸,构建器件模型。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述粒子输运模型包括:

粒子与所述器件模型灵敏体积区域原子核内部反应,及粒子留在或逃逸出所述灵敏体积区域的过程。

7.一种LET值仿真装置,其特征在于,包括:

模型构建模块,其用于建立器件模型及粒子输运模型,所述器件模型包含灵敏体积区域;

计算模块,其用于设置粒子源、及所述粒子源中粒子入射LET值,向所述器件模型发射N个粒子;计算所述N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl,及在灵敏体积区域的有效LET值Leff,所述Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述计算模块被进一步配置为:

获取所述器件模型灵敏体积区域的临界能量;

统计单粒子翻转事件总数NSEU,其中一个所述粒子导致所述沉积能量大于临界能量时,记为一次单粒子翻转事件;

计算单粒子翻转截面σ,其中A为粒子垂直入射范围内的器件模型表面积。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111235714.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top