[发明专利]一种晶圆电镀方法及晶圆电镀设备在审
| 申请号： | 202111229681.5 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN113832513A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·贺·汪;周志伟 | 申请（专利权）人： | 新阳硅密（上海）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D7/12;C25D17/00 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人： | 陈晨;王津 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆电镀方法及晶圆电镀设备，其中，晶圆电镀方法包括如下步骤：S10、将晶圆划分为多个电镀区域，计算各个电镀区域所需电量值；S20、控制晶圆夹具将晶圆放入电镀槽，控制供电装置向各个电镀区域单独供电；S30、当向某电镀区域提供的电量值累积到所需电量值时，切断对该电镀区域的供电，直至切断对所有电镀区域的供电，取出晶圆。本发明将晶圆的待镀区域划分成多个电镀区域，并为每个电镀区域配置一个供电装置进行供电，由此实现了对晶圆的分区电镀和电镀参数的单独控制，本发明可通过对各个电镀区域供电量的选择，使各个电镀区域的镀层厚度相同，从而达到电镀均匀性的要求，提升电镀品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电镀 方法 设备 | ||
【主权项】：
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