[发明专利]一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111211399.4 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948535A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 孙晓娟;陈雨轩;黎大兵;蒋科;贲建伟;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L27/15;H01L31/0352;H01L33/06;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 孟洁 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法，该同质集成芯片，包括：衬底；缓冲层；LED器件，其为圆环状或圆弧状；探测器，位于LED器件内侧；本发明的集成芯片，采用圆环状或圆弧状的LED器件以及位于LED器件内侧的探测器，从方向上提高了LED出光的利用率，在有源区面积一定的情况下提高了LED和探测器侧壁的交互面积，便于探测器收集。本发明的集成芯片，在LED器件外周面设置金属反射层，同质集成芯片中LED器件的光提取效率和电光转换效率大幅提高，探测器接收的入射光通量增大，灵敏度提高，集成芯片的光耗散有效减少，从而达到提高紫外LED和探测器同质集成芯片信号转换效率和传输速度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 探测器 同质 集成 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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