[发明专利]一种面发射激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202111207033.X | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113948966B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘安金;张靖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/12;H01S5/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种面发射激光器及其制作方法，面发射激光器包括一悬浮型光栅，悬浮型光栅的制作方法包括：S1，在衬底上依次形成牺牲层和高折射率差亚波长光栅层，牺牲层所用材料为GaInP；S2，刻蚀高折射率差亚波长光栅层，得到光栅图形；S3，刻蚀所述光栅图形下方的牺牲层，得到用于支撑所述光栅图形的至少两个支撑柱，其中，根据所述光栅图形的形状采用相应的刻蚀时间。其采用GaInP作为牺牲层的组成材料，通过控制刻蚀时间和选择特定HCG图形的拓扑结构，在HCG区域四周支撑梁下面形成支撑柱，避免了HCG图形坍塌，简化了制作工艺，降低了制作成本，具有大规模生产的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111207033.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
