[发明专利]一种面发射激光器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202111207033.X 申请日: 2021-10-15
公开(公告)号: CN113948966B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 刘安金;张靖 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/12;H01S5/125
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王文思
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 激光器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种悬浮型光栅的制作方法,其特征在于,包括:

S1,在衬底(2)上依次形成牺牲层(9)和高折射率差亚波长光栅层(12),牺牲层(9)所用材料为GaInP;

S2,刻蚀高折射率差亚波长光栅层(12),得到光栅图形;

S3,刻蚀所述光栅图形下方的牺牲层(9),得到用于支撑所述光栅图形的2个或者4个支撑柱(13),其中,根据所述光栅图形的形状选择特定HCG图形的拓扑结构,根据所述拓扑结构并控制刻蚀时间形成所述支撑柱(13),刻蚀操作中所用的刻蚀液为盐酸,所述刻蚀时间为1~10分钟,所述牺牲层(9)在被刻蚀时,光栅图形相对激光器台面水平方向偏转0°~45°。

2.一种基于权利要求1所述悬浮型光栅的制作方法的面发射激光器的制作方法,其特征在于,包括:在所述悬浮型光栅的衬底(2)与牺牲层(9)之间依次形成下布拉格反射镜层(4)、有源层(5)、氧化层(6)和上布拉格反射镜层(8);

依次刻蚀高折射率差亚波长光栅层(12)、牺牲层(9)、上布拉格反射镜层(8)、氧化层(6)、有源层(5)和下布拉格反射镜层(4)中的若干对下布拉格反射镜;

采用湿法氧化工艺制作氧化层(6),并形成氧化孔(7)。

3.根据权利要求2所述的面发射激光器的制作方法,其特征在于,还包括:

在衬底(2)和下布拉格反射镜层(4)之间形成缓冲层(3);

在衬底(2)上制作N侧电极(1);

在高折射率差亚波长光栅层(12)上生长P侧电极(11)。

4.一种基于权利要求2或3所述面发射激光器的制作方法制作的面发射激光器,其特征在于,包括:

衬底(2),用于承载面发射激光器;

下布拉格反射镜层(4),设置于衬底(2)上,用于构建谐振腔形成激光振荡;

有源层(5),设置于下布拉格反射镜层(4)上方,用于提供增益产生激光;

氧化层(6),设置于有源层(5)上方,形成氧化孔(7),用于限制载流子和光场;

上布拉格反射镜层(8),用于与下布拉格反射镜层(4)共同构建所述谐振腔形成激光振荡;

高折射率差亚波长光栅层(12),设置于上布拉格反射镜层(8)上方,其包含悬浮部(10)和支撑部,支撑部中部设有开口,悬浮部(10)设置于开口中,与支撑部通过两连接臂连接,悬浮部(10)为中部镂空、周部连接的光栅图形;用于与上布拉格反射镜层(8)和下布拉格反射镜层(4)共同构建所述谐振腔形成激光振荡;

牺牲层(9),设置于高折射率差亚波长光栅层(12)支撑部和悬浮部(10)光栅周部至少两相对边的下方,用于使高折射率差亚波长光栅层(12)下方有空气流通,并支撑高折射率差亚波长光栅层(12)。

5.根据权利要求4所述的面发射激光器,其特征在于,还包括:

N侧电极(1),与衬底电连接,用于给面发射激光器供电;

P侧电极(11),与高折射率差亚波长光栅层(12)电连接,用于与N侧电极(1)协作给面发射激光器供电。

6.根据权利要求4所述的面发射激光器,其特征在于,所述牺牲层(9)所用材料包括GaInP,厚度包括为四分之一波长的整数倍;所述上布拉格反射镜层(8)所用材料包括A1GaAs;所述高折射率差亚波长光栅层(12)所用材料包括GaAs。

7.根据权利要求6所述的面发射激光器,其特征在于,所述上布拉格反射镜层(8)的上方设置有抗氧化层,所述抗氧化层所用材料包括GaAs,抗氧化层的厚度包括为四分之一激光器发射的激光波长的奇数倍。

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