[发明专利]一种面发射激光器及其制作方法有效
申请号: | 202111207033.X | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN113948966B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 刘安金;张靖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/12;H01S5/125 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王文思 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
1.一种悬浮型光栅的制作方法,其特征在于,包括:
S1,在衬底(2)上依次形成牺牲层(9)和高折射率差亚波长光栅层(12),牺牲层(9)所用材料为GaInP;
S2,刻蚀高折射率差亚波长光栅层(12),得到光栅图形;
S3,刻蚀所述光栅图形下方的牺牲层(9),得到用于支撑所述光栅图形的2个或者4个支撑柱(13),其中,根据所述光栅图形的形状选择特定HCG图形的拓扑结构,根据所述拓扑结构并控制刻蚀时间形成所述支撑柱(13),刻蚀操作中所用的刻蚀液为盐酸,所述刻蚀时间为1~10分钟,所述牺牲层(9)在被刻蚀时,光栅图形相对激光器台面水平方向偏转0°~45°。
2.一种基于权利要求1所述悬浮型光栅的制作方法的面发射激光器的制作方法,其特征在于,包括:在所述悬浮型光栅的衬底(2)与牺牲层(9)之间依次形成下布拉格反射镜层(4)、有源层(5)、氧化层(6)和上布拉格反射镜层(8);
依次刻蚀高折射率差亚波长光栅层(12)、牺牲层(9)、上布拉格反射镜层(8)、氧化层(6)、有源层(5)和下布拉格反射镜层(4)中的若干对下布拉格反射镜;
采用湿法氧化工艺制作氧化层(6),并形成氧化孔(7)。
3.根据权利要求2所述的面发射激光器的制作方法,其特征在于,还包括:
在衬底(2)和下布拉格反射镜层(4)之间形成缓冲层(3);
在衬底(2)上制作N侧电极(1);
在高折射率差亚波长光栅层(12)上生长P侧电极(11)。
4.一种基于权利要求2或3所述面发射激光器的制作方法制作的面发射激光器,其特征在于,包括:
衬底(2),用于承载面发射激光器;
下布拉格反射镜层(4),设置于衬底(2)上,用于构建谐振腔形成激光振荡;
有源层(5),设置于下布拉格反射镜层(4)上方,用于提供增益产生激光;
氧化层(6),设置于有源层(5)上方,形成氧化孔(7),用于限制载流子和光场;
上布拉格反射镜层(8),用于与下布拉格反射镜层(4)共同构建所述谐振腔形成激光振荡;
高折射率差亚波长光栅层(12),设置于上布拉格反射镜层(8)上方,其包含悬浮部(10)和支撑部,支撑部中部设有开口,悬浮部(10)设置于开口中,与支撑部通过两连接臂连接,悬浮部(10)为中部镂空、周部连接的光栅图形;用于与上布拉格反射镜层(8)和下布拉格反射镜层(4)共同构建所述谐振腔形成激光振荡;
牺牲层(9),设置于高折射率差亚波长光栅层(12)支撑部和悬浮部(10)光栅周部至少两相对边的下方,用于使高折射率差亚波长光栅层(12)下方有空气流通,并支撑高折射率差亚波长光栅层(12)。
5.根据权利要求4所述的面发射激光器,其特征在于,还包括:
N侧电极(1),与衬底电连接,用于给面发射激光器供电;
P侧电极(11),与高折射率差亚波长光栅层(12)电连接,用于与N侧电极(1)协作给面发射激光器供电。
6.根据权利要求4所述的面发射激光器,其特征在于,所述牺牲层(9)所用材料包括GaInP,厚度包括为四分之一波长的整数倍;所述上布拉格反射镜层(8)所用材料包括A1GaAs;所述高折射率差亚波长光栅层(12)所用材料包括GaAs。
7.根据权利要求6所述的面发射激光器,其特征在于,所述上布拉格反射镜层(8)的上方设置有抗氧化层,所述抗氧化层所用材料包括GaAs,抗氧化层的厚度包括为四分之一激光器发射的激光波长的奇数倍。
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