[发明专利]一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备在审
| 申请号： | 202111205635.1 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113930724A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王世宽;宋永辉;史鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 江苏智天知识产权代理有限公司 32550 | 代理人： | 陈文艳 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备，针对的问题，提供了以下技术方案，设备包括密封腔体，用于抽取真空，作为进行磁控溅射的环境；载片台，设置于密封腔体内；遮挡屏蔽件，设置于载片台和磁控溅射组件之间；移动部，与遮挡屏蔽件固定连接；控制器，与移动部电性连接；电压传感器，与磁控溅射组件和控制器电性连接。方法包括电压传感器检测磁控溅射组件的溅射电压，当溅射电压与设定电压一致时，电压传感器发送电信号至控制器，由控制器控制移动部带动遮挡屏蔽件移动，遮挡射向基片的靶材物质；当溅射电压与设定电压一致时，取消遮挡射向基片的靶材物质，便于使基片得到的氧化钒薄膜的成分更单一，提高质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 遮挡 屏蔽 氧化 磁控溅射 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
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