[发明专利]一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备

权利要求书

1.一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备，其特征在于，包括：

密封腔体(1)，用于抽取真空，作为进行磁控溅射的环境；

载片台(3)，设置于密封腔体(1)内，用于放置需要进行加工的基片；

磁控溅射组件(4)，在密封腔体(1)内与载片台(3)的承载面相对设置，用于将靶材(42)的粒子通过电磁溅射法沉积到基片表面；

遮挡屏蔽件(6)，设置于载片台(3)和磁控溅射组件(4)之间，用于移动遮挡射向基片的靶材(42)的粒子；

移动部(5)，安装在密封腔体(1)内且与遮挡屏蔽件(6)固定连接，用于控制遮挡屏蔽件(6)；

控制器(9)，与移动部(5)电性连接，用于控制移动部(5)移动及其移动方向；

电压传感器(8)，与磁控溅射组件(4)和控制器(9)电性连接，用于检测磁控溅射组件(4)的工作电压与设定电压是否一致，并把检测结果发送到控制器(9)。

2.根据权利要求1所述的一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备，其特征在于：所述密封腔体(1)内设置用于收纳遮挡屏蔽件(6)的存储腔(7)，所述移动部(5)设置于存储腔(7)内。

3.根据权利要求1所述的一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备，其特征在于：所述磁控溅射组件(4)包括磁控溅射阴极(41)和与磁控溅射阴极(41)连接的靶材(42)。

4.根据权利要求1所述的一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备，其特征在于：所述移动部(5)包括安装于密封腔体(1)的气缸(51)和与气缸(51)固定连接的连杆(52)，所述连杆(52)与遮挡屏蔽件(6)固定连接，所述气缸(51)与控制器(9)电性连接。

5.一种应用于如权利要求1-4任一所述的一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备的方法，其特征在于，包括：

设备启动后，随时间调整施加在磁控溅射组件(4)上的施加电压；

电压传感器(8)检测磁控溅射组件(4)的溅射电压，当溅射电压与设定电压一致时，电压传感器(8)发送电信号至控制器(9)，由控制器(9)控制移动部(5)带动遮挡屏蔽件(6)移动，遮挡射向基片的靶材(42)的粒子；

此后随设备运转，当溅射电压与设定电压一致时，电压传感器(8)发送电信号至控制器(9)，由控制器(9)控制移动部(5)带动遮挡屏蔽件(6)移动，取消遮挡射向基片的靶材(42)的粒子。

6.根据权利要求5所述的一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备的方法，其特征在于：所述溅射电压的大小与氧气流量的大小呈正相关。

7.根据权利要求5所述的一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射设备的方法，其特征在于：所述取消遮挡射向基片的靶材(42)的粒子前控制器(9)需延时7-12秒。