[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111205152.1 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN115985775A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘轶群 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，通过采用先在绝缘体上硅衬底的顶部半导体层中形成横向排布的多个纳米线板，之后，再利用现有的形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方式，在沿横跨多个所述纳米线板的方向，形成全环栅的栅极结构。由于本发明是在包含绝缘埋层的绝缘体上硅衬底中形成横向排布的纳米线板(沟道)，因此，在后续步骤形成源极(源区)和漏极(漏区)的时候，无需按照现有的全环栅形成方式，先形成内隔离层，再形成源/漏极，从而在提出一种新型形成全环栅的方法的同时，简化了全环栅的形成步骤，降低了从FinFET到GAA技术代过渡的挑战性和器件形成成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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