[发明专利]一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法在审
| 申请号： | 202111204293.1 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113970877A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邵璐;卫路兵 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F1/00;G03F7/38;G03F7/30;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆。本发明对刻号处的晶圆片表面进行特殊曝光处理，使得在后续工艺过程中，刻号处始终保有一定的深宽比，利用光反射定律解决刻号不清的效果远优于现有方法，增强了人工识别晶圆刻号的可行性，最大程度降低了异常率，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆刻号 区域 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所，未经西安微电子技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111204293.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
