[发明专利]一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法在审
| 申请号： | 202111204293.1 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113970877A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邵璐;卫路兵 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F1/00;G03F7/38;G03F7/30;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆刻号 区域 光刻 工艺 方法 | ||
1.一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，具体步骤如下：
S1对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；
S2对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；
S3对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，曝光时使用全透光光刻版进行。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，所述全透光光刻版的正面反面均为普通玻璃，其反面不溅射二氧化铬不透光涂层。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，按照光刻视场，仅对晶圆刻号区域从左向右实施曝光。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，不透光介质包括钛、氮化钛、钨或铝硅铜。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S1中，所述预处理为依次对晶圆进行热板处理、HMDS和冷板处理。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S2中，进行显影前，对曝光后的晶圆进行PEB处理和冷板处理，冷板处理后进行显影。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，步骤S2中，所述显影为在晶圆上喷显影液，浸润时间为58s，甩干冲水即完成显影。
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