[发明专利]激光半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111181037.5 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN115967004A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 江协志;阮智伟;邱崇哲;曾释锋 | 申请（专利权）人： | 鸿富泰精密电子（烟台）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02218 | 分类号： | H01S5/02218;H01S5/02315;H01S5/0232;H01S5/06 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 刘龄霞;陈海云 |
| 地址： | 264006 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种激光半导体器件及其制备方法，激光半导体器件包括基板、激光晶体、导电件、第一本体和第二本体，其中，所述第一本体设置在所述基板上，且与所述基板共同围成收容腔；所述激光晶体收容于所述收容腔内；所述导电件安装于所述第一本体，并与所述激光晶体电连接；所述第二本体包括安装框和透镜，所述透镜安装在所述安装框上，所述安装框设置在所述第一本体上，以覆盖所述收容腔；所述第一本体、所述导电件和所述安装框均为铁镍钴合金材质。本申请激光半导体器件具有良好的密封性，有利于延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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