[发明专利]激光半导体器件及其制备方法在审
申请号: | 202111181037.5 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN115967004A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 江协志;阮智伟;邱崇哲;曾释锋 | 申请(专利权)人: | 鸿富泰精密电子(烟台)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/02218 | 分类号: | H01S5/02218;H01S5/02315;H01S5/0232;H01S5/06 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 刘龄霞;陈海云 |
地址: | 264006 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种激光半导体器件及其制备方法,激光半导体器件包括基板、激光晶体、导电件、第一本体和第二本体,其中,所述第一本体设置在所述基板上,且与所述基板共同围成收容腔;所述激光晶体收容于所述收容腔内;所述导电件安装于所述第一本体,并与所述激光晶体电连接;所述第二本体包括安装框和透镜,所述透镜安装在所述安装框上,所述安装框设置在所述第一本体上,以覆盖所述收容腔;所述第一本体、所述导电件和所述安装框均为铁镍钴合金材质。本申请激光半导体器件具有良好的密封性,有利于延长其使用寿命。
技术领域
本申请涉及激光半导体技术领域,尤其涉及一种激光半导体器件及其制备方法。
背景技术
在目前的激光半导体产业中,常常采用冲压方式来切割含铜、铝等金属元素的合金材料,之后再利用热丝融化技术将切割所得的合金件固定到半导体基板上,进而完成激光半导体器件的封装。然而,由目前技术所制备得到的激光半导体器件在密封性上仍存在不足,这使得激光半导体器件的使用寿命受到影响。
发明内容
本申请的主要目的是提供一种激光半导体器件及其制备方法,旨在解决现有技术中激光半导体器件因气密性较差而导致使用寿命缩短的问题。
一种激光半导体器件,包括基板、激光晶体、导电件、第一本体和第二本体,其中,
所述第一本体设置在所述基板上,且与所述基板共同围成收容腔;
所述激光晶体收容于所述收容腔内;
所述导电件安装于所述第一本体,并与所述激光晶体电连接;
所述第二本体包括安装框和透镜,所述透镜安装在所述安装框上,所述安装框设置在所述第一本体上,以覆盖所述收容腔;
所述第一本体、所述导电件和所述安装框均为铁镍钴合金材质。
优选的,所述导电件和所述第一本体之间通过第一密封件连接及密封,所述透镜和所述安装框之间通过第二密封件连接及密封。
更进一步的,所述第一密封件和所述第二密封件均为密封树脂。
优选的,所述安装框通过镭射焊接的方式固定在所述第一本体上;
所述安装框凹设有凹槽,所述透镜收容在所述凹槽中;
所述凹槽的槽底设有挖空部,所述挖空部贯通所述安装框设置,以使所述激光晶体的激发光透过所述挖空部而照射到所述透镜上。
优选的,所述第一本体、所述导电件和所述安装框均通过粉末冶金方式制成。
优选的,所述导电件成对设置,每一对的两个所述导电件分别位于所述第一本体的相对两侧;
当所述基板上的所述激光晶体为一个时,所述激光晶体对应一对所述导电件,所述激光晶体与所述第一本体两侧的所述导电件电性连接;
当所述激光晶体为两个或多个时,所述激光晶体在所述基板上组成晶体阵列,每排所述激光晶体对应一对所述导电件,同排且相邻的两个所述激光晶体之间电性连接,与所述导电件相邻的所述激光晶体与相邻的所述导电件电性连接。
更进一步的,所述激光半导体器件还包括封装层,所述封装层覆盖在所述第二本体上;
所述封装层设有聚光部,所述聚光部背离所述安装框设置,所述聚光部的数量与所述基板上的所述激光晶体数量相同,其中,所述聚光部位于对应的所述激光晶体所产生的激发光的光路上。
一种激光半导体器件的制备方法,包括如下步骤:
将第一本体安装到基板上,所述第一本体与所述基板共同围成收容腔,其中,所述第一本体由铁镍钴合金材料制成;
将导电件安装在所述第一本体上,所述导电件由铁镍钴合金材料制成;
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