[发明专利]柔性可编程存储器、制备方法及其反相器、逻辑门电路在审

专利信息
申请号: 202111174430.1 申请日: 2021-10-09
公开(公告)号: CN113921599A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 孙翊淋;丁英涛;李明杰;刘志方;陈志铭 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/44;H01L21/34;H03K19/20;H03K19/21
代理公司: 北京市中闻律师事务所 11388 代理人: 冯梦洪
地址: 100081 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 公开一种柔性可编程存储器、制备方法、利用柔性可编程存储器构建的可编程反相器、可编程逻辑门电路,解决了将Parylene及其上的电子器件转移至任意柔性衬底上的柔性电子器件制备工艺,避免了器件加工过程对器件的机械损伤;同时,通过优化工艺流程,利用金属电极作为掩模实现对有机铁电栅薄膜的图形化,实现了有机材料与传统CMOS工艺的相兼容。这种柔性可编程存储器,其从下至上包括:派瑞林薄膜、二维材料、作为源极和漏极的金属、有机铁电薄膜、栅极金属;在派瑞林Parylene薄膜的下表面贴附柔性衬底。
搜索关键词: 柔性 可编程 存储器 制备 方法 及其 反相器 逻辑 门电路
【主权项】:
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