[发明专利]薄膜晶体管的有源层结构、有源层的制备方法、薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202111172855.9 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115954372A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 占晓军;晏国文;贺宇童;马龙全 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786;C23C16/40 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 许铨芬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的有源层结构、有源层的制备方法及薄膜晶体管，本发明实施例提供一种薄膜晶体管的有源层结构，包括依次层叠的有源层组和第一功能层，有源层组包括至少一个有源层，有源层包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物；第一功能层包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物，第一功能层中的镓元素在铟元素、镓元素以及锌元素中的摩尔比例大于有源层中的镓元素在铟元素、镓元素以及锌元素中的摩尔比例，能够增加第一功能层对刻蚀液的耐受度，从而提高背沟道刻蚀型器件中有源层结构对刻蚀液的耐受度，第一功能层还能够屏蔽柔性基底吸潮带来的背面电荷吸附的影响，从而替代挡光层，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有源 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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