[发明专利]薄膜晶体管的有源层结构、有源层的制备方法、薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，包括依次层叠的：

有源层组，包括至少一个有源层，所述有源层包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物；

第一功能层，包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物，所述第一功能层中的所述镓元素在所述铟元素、所述镓元素以及所述锌元素中的摩尔比例大于所述有源层中的所述镓元素在所述铟元素、所述镓元素以及所述锌元素中的摩尔比例。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述第一功能层的膜厚大于所述有源层的膜厚。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，用于栅极设置于所述有源层组远离薄膜晶体管的基底一侧的薄膜晶体管时，所述有源层结构的所述第一功能层设置于所述有源层组邻近所述薄膜晶体管基底的一侧。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，用于栅极设置于所述有源层组邻近薄膜晶体管的基底的一侧的薄膜晶体管时，所述有源层结构的所述第一功能层设置于所述有源层组远离所述薄膜晶体管的基底的一侧。

5.根据权利要求3或4中任一项所述薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，还包括第二功能层，所述第二功能层包含硅元素、铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物，所述第二功能层设置于所述有源层组远离所述第一功能层的一侧。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述第二功能层中硅元素的含量沿所述有源层结构的层叠方向逐渐变化。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述第二功能层中硅元素的含量沿背离所述有源层组的方向逐渐上升。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述第二功能层中的所述硅元素的含量为0.1％～5％。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述有源层组包括：

第一有源层，包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物，所述第一有源层中的铟元素在所述铟元素、所述镓元素以及所述锌元素中的摩尔比例大于其他有源层中的所述铟元素在所述铟元素、所述镓元素以及所述锌元素中的摩尔比例。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述有源层组还包括设置于所述第一有源层背离所述第一功能层一侧的第二有源层。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述第一有源层中的所述铟元素在所述铟元素、所述镓元素以及所述锌元素中的摩尔比例为0.6～0.9。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层结构，其特征在于，所述第一功能层中的所述镓元素在所述铟元素、所述镓元素以及所述锌元素中的摩尔比例为0.5～1。

13.一种有源层的制备方法，用于制备如权利要求5中所述的第二功能层，其特征在于，包括以下步骤：

使用原子层沉积方法将硅元素、铟元素、镓元素以及锌元素的原子沉积到所述有源层上，且随着沉积层厚度的增加，所述硅元素的单次沉积量逐渐增加；

或者，使用原子层沉积方法将将硅元素、铟元素、镓元素以及锌元素的原子沉积到薄膜晶体管基板的基底上，且随着沉积层厚度的增加，硅元素的单次沉积量逐渐减少。

14.一种薄膜晶体管，其特征在于，包含如权利要求1-12中任一项所述的有源层结构。