[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111171113.4 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114023820A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 沈宇桐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/768;H01L21/56;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：基底；第一应力材料层，位于所述基底上；应力缓冲层，位于所述第一应力材料层上；接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；金属硅化物层，至少覆盖所述接触孔的部分侧壁；接触结构，位于所述接触孔内。由于在接触孔的底部和侧壁处可形成金属硅化物等低电阻的欧姆接触的介质，可提高接触结构的导电性能，这样可提高器件导通的电流，优化器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111171113.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有传感器监测的振动盘装置
- 下一篇：一种生化处理滚筒装置
- 同类专利
- 专利分类
