[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

第一应力材料层，位于所述基底上；

应力缓冲层，位于所述第一应力材料层上；

接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；

金属硅化物层，至少覆盖所述接触孔的部分侧壁；

接触结构，位于所述接触孔内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力缓冲层包括半导体材料。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体材料包括单晶硅、多晶硅中的一种或两种的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层至少覆盖所述接触孔内应力缓冲层的部分侧壁。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属硅化物层覆盖所述接触孔的底部。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二应力材料层，所述第二应力材料层位于第一应力材料层和应力缓冲层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二应力材料层掺杂褚的浓度高于所述第一应力材料层掺杂褚的浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构与所述金属硅化物层接触。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层包括TiSi₂、CoSi₂、NiPtSi中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底具有源极区和漏极区；所述第一应力材料层位于所述源极区和/或漏极区上。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一应力材料层；

在所述第一应力材料层上形成应力缓冲层；

形成接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；

在所述接触孔的至少部分侧壁形成金属硅化物层；

在所述接触孔内填充导电材料形成接触结构。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一应力材料层上形成第二应力材料层，所述第二应力材料层位于第一应力材料层和应力缓冲层之间。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二应力材料层掺杂褚的浓度高于所述第一应力材料层掺杂褚的浓度。

14.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层至少覆盖所述接触孔内应力缓冲层的部分侧壁。

15.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成接触孔包括：

在所述应力缓冲层上依次堆叠形成牺牲层和掩膜层；

图形化所述掩膜层，以所述图形化掩膜层对所述牺牲层、所述应力缓冲层和所述第一应力材料层进行刻蚀，形成贯穿所述掩膜层、所述牺牲层、所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内的所述接触孔。

16.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成金属硅化物层包括：

在所述接触孔内沉积金属层，所述金属层至少覆盖部分所述应力缓冲层的侧壁，进行热退火处理，在所述接触孔的至少部分侧壁形成金属硅化物层。