[发明专利]一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法有效
| 申请号： | 202111165312.4 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113897671B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 兰洵;李扬 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 沈寒酉;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒，所述制备方法包括：基于基准氮掺杂单晶硅棒切割成样品硅片后，选取多个待检测硅片，并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布；基于所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置；在当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中，在所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置处按照设定的各缺陷区域对应的目标提拉速率进行提拉以制备得到所述当前氮掺杂单晶硅棒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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