[发明专利]一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法

权利要求书

1.一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

基于基准氮掺杂单晶硅棒切割成样品硅片后，选取多个待检测硅片，并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布；其中，所述缺陷区域包括空穴富集区域、间隙富集区域以及空穴富集和间隙富集交替分布区域；其中，所述评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，包括：

获取所述多个待检测硅片表面少数载流子寿命数据，并根据所述多个待检测硅片表面少数载流子寿命数据绘制得到少数载流子寿命图谱；

基于所述少数载流子寿命图谱，评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布；其中，所述基于所述少数载流子寿命图谱，评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，包括：

当所述少数载流子寿命图谱呈圆形状寿命高的图谱，确定所述圆形状寿命高的图谱对应的待检测硅片为只含有空穴富集区域的第一待检测硅片；以及，

当所述少数载流子寿命图谱呈环状寿命低的图谱，确定呈环状寿命低的图谱对应的待检测硅片为含有间隙富集区域环绕空穴富集区域的第二待检测硅片；以及，

当所述少数载流子寿命图谱呈环状寿命高的图谱，确定呈环状寿命高的图谱对应的待检测硅片为含有空穴富集区域环绕间隙富集区域的第三待检测硅片；以及，

当所述少数载流子寿命图谱呈圆形状寿命低的图谱，确定所述圆形状寿命低的图谱对应的待检测硅片为只含有间隙富集区域的第四待检测硅片；

基于所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置；其中，所述基于所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置，包括：

基于所述只含有空穴富集区域的第一待检测硅片，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中空穴富集区域分布的位置Ⅰ；以及，

基于所述含有间隙富集区域环绕空穴富集区域的第二待检测硅片，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中间隙富集区域环绕空穴富集区域分布的位置Ⅱ；以及，

基于所述含有空穴富集区域环绕间隙富集区域的第三待检测硅片，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中空穴富集区域环绕间隙富集区域分布的位置Ⅲ；以及，

基于所述只含有间隙富集区域的第四待检测硅片，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中间隙富集区域分布的位置Ⅳ；

在当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中，在所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置处按照设定的各缺陷区域对应的目标提拉速率进行提拉以制备得到所述当前氮掺杂单晶硅棒；其中，所述在当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中，在所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置处按照设定的各缺陷区域对应的目标提拉速率进行提拉以制备得到所述当前氮掺杂单晶硅棒，包括：

当所述当前氮掺杂单晶硅棒与所述基准氮掺杂单晶硅棒热场结构一致时，在所述当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中：

基于所述基准氮掺杂单晶硅棒中空穴富集区域分布的位置Ⅰ，采用基准拉晶速率拉制；以及，

基于所述基准氮掺杂单晶硅棒中间隙富集区域环绕空穴富集区域分布的位置Ⅱ，采用第一目标拉晶速率V₁拉制；以及，

基于所述基准氮掺杂单晶硅棒中空穴富集区域环绕间隙富集区域分布的位置Ⅲ，采用第二目标拉晶速率V₂拉制；以及，

基于所述基准氮掺杂单晶硅棒中间隙富集区域分布的位置Ⅳ，采用第三目标拉晶速率V₃拉制；

其中，所述第一目标拉晶速率V₁为基准拉晶速率V₀±0.001～0.002mm/min；以及，

所述第二目标拉晶速率V₂为基准拉晶速率V₀±0.002～0.003mm/min；以及，

所述第三目标拉晶速率V₃为基准拉晶速率V₀±0.003～0.006mm/min；

其中，所述当前氮掺杂单晶硅棒为只存在空穴富集区域的氮掺杂单晶硅棒。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于基准氮掺杂单晶硅棒切割成样品硅片后，选取多个待检测硅片，并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，包括：

采用基准提拉速率提拉制备所述基准氮掺杂单晶硅棒，并切割所述基准氮掺杂单晶硅棒以获得所述样品硅片；

选取位于所述基准氮掺杂单晶硅棒不同位置的多个所述样品硅片作为所述待检测硅片，并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布。