[发明专利]一种芯片抗辐照封装材料及抗辐照封装工艺在审

专利信息
申请号: 202111164960.8 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113809050A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 钱靖;陈显平;罗厚彩 申请(专利权)人: 重庆平创半导体研究院有限责任公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/29;H01L23/373;H01L21/56
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 代理人: 赵玉乾
地址: 401120 重庆市璧山区璧泉*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于材料核工业用材料技术领域,尤其涉及一种芯片抗辐照封装材料及抗辐照封装工艺,所述芯片抗辐照封装材料为在塑封料中掺杂宽禁带半导体颗粒,宽禁带半导体颗粒的重量占比在10%‑75%之间。所述芯片抗辐照封装工艺为首先在铜基板背面生长一层抗辐照层,在铜基板正面焊接芯片,同时将芯片和铜基板的引脚键合;然后称量塑封料和掺杂颗粒,将塑封料和掺杂颗粒置入预设好搅拌温度的模具中进行搅拌均匀,待搅拌时间结束后,得到塑封料复合材料;最后将搅拌均匀后的塑封料复合材料进行注塑压封,并将塑封后的芯片进行引脚电镀和去除毛刺与飞边。本发明提升了芯片整体的抗辐照性能和在太空环境下的可靠性,同时提升了芯片器件背部的抗辐照能力。
搜索关键词: 一种 芯片 辐照 封装 材料 工艺
【主权项】:
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