[发明专利]一种芯片抗辐照封装材料及抗辐照封装工艺在审
| 申请号： | 202111164960.8 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113809050A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 钱靖;陈显平;罗厚彩 | 申请（专利权）人： | 重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/29;H01L23/373;H01L21/56 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 赵玉乾 |
| 地址： | 401120 重庆市璧山区璧泉*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 辐照 封装 材料 工艺 | ||
1.一种芯片抗辐照封装材料，其特征在于：在塑封料中掺杂宽禁带半导体颗粒，所述宽禁带半导体颗粒的重量占比在10％-75％之间。
2.根据权利要求1所述的一种芯片抗辐照封装材料，其特征在于：所述塑封料为环氧塑封料。
3.根据权利要求1所述的一种芯片抗辐照封装材料，其特征在于：所述宽禁带半导体颗粒为碳化硅宽禁带半导体颗粒或者氮化镓宽禁带半导体颗粒中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种芯片抗辐照封装材料，其特征在于：所述宽禁带半导体颗粒粒径为10nm-50um。
5.一种芯片抗辐照封装工艺，其特征在于：包括：
S1：在铜基板背面生长一层抗辐照层，在铜基板正面焊接芯片，同时将芯片和铜基板的引脚键合；
S2：称量塑封料和掺杂颗粒，将塑封料和掺杂颗粒置入预设好搅拌温度的模具中进行搅拌均匀，待搅拌时间结束后，得到塑封料复合材料；
S3：将搅拌均匀后的塑封料复合材料对S1中具有抗辐照层的芯片铜基板进行注塑压封，并将塑封后的芯片进行引脚电镀和去除毛刺与飞边。
6.根据权利要求5所述的一种芯片抗辐照封装工艺，其特征在于：在S1中，所述抗辐照层的材料为金属氧化物或金属单质或宽禁带半导体材料中的一种，所述抗辐照层的厚度为1um-1mm，所述抗辐照层的区域面积为芯片的区域面积和铜基板的区域面积之间。
7.根据权利要求5所述的一种芯片抗辐照封装工艺，其特征在于：在S2中，所述塑封料为环氧塑封料，所述模具中的搅拌温度为150-220℃，所述搅拌时间为5-30min。
8.根据权利要求5所述的一种芯片抗辐照封装工艺，其特征在于：所述掺杂颗粒为碳化硅宽禁带半导体颗粒或氮化镓宽禁带半导体颗粒中的一种，所述掺杂颗粒占总质量的1％-30％，所述掺杂颗粒的粒径为10nm-50um。
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