[发明专利]一种晶圆表面器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111161451.X | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113948376A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/288 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种晶圆表面器件的制备方法，包括：S100，在晶圆的第一表面制作完成接触孔后，制备耐熔金属层；S200，翻转晶圆，对晶圆的第二表面进行研磨、蚀刻，使晶圆达到预设厚度；S300，向晶圆的第二表面进行离子注入，并在预设温度下激活注入的离子；S400，对第二表面进行金属镀膜，形成金属膜层，并在金属膜层上制备具有预设图案的聚亚酰胺网格，聚亚酰胺网格的覆盖区域对应切割道位置；S500，翻转晶圆，在聚亚酰胺网格的支撑下，对第一表面进行金属镀膜，并蚀刻形成预设排布的金属块；S600，在第一表面和第二表面均无电极化镀Ni、Pd、Au；S700，去除第二表面的聚亚酰胺网格，完成晶圆表面器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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