[发明专利]一种晶圆表面器件的制备方法

权利要求书

1.一种晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，包括：

S100，在晶圆的第一表面制作完成接触孔后，制备耐熔金属层；

S200，翻转所述晶圆，对所述晶圆的第二表面进行研磨、蚀刻，使所述晶圆达到预设厚度；

S300，向所述晶圆的第二表面进行离子注入，并在预设温度下激活注入的离子；

S400，对所述第二表面进行金属镀膜，形成金属膜层，并在所述金属膜层上制备具有预设图案的聚亚酰胺网格，所述聚亚酰胺网格的覆盖区域对应切割道位置；

S500，翻转所述晶圆，在所述聚亚酰胺网格的支撑下，对所述第一表面进行金属镀膜，并蚀刻形成预设排布的金属块；

S600，在所述第一表面和所述第二表面均无电极化镀Ni、Pd、Au；

S700，去除所述第二表面的聚亚酰胺网格，完成所述晶圆表面器件的制备。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

将完成晶圆表面器件制备的所述晶圆贴附至切割模框板，以所述第二表面的去除所述聚亚酰胺网格的位置为切割道位置，切割所述晶圆。

3.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述S100中，所述耐熔金属层为钛/氮化钛或钨。

4.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述S200中，研磨后的所述晶圆厚度范围为：50～200μm。

5.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述S300中，注入的离子包括：硼离子、磷离子和氢离子。

6.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述S300中，激活离子的所述预设温度范围为600～1000℃。

7.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述S400和所述S500中的金属镀膜为铝。

8.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述S400中，采用涂布、曝光及显影工艺在所述金属膜层上制备所述聚亚酰胺网格。

9.根据权利要求1所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述晶圆的尺寸范围为6寸至12寸。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的晶圆表面器件的制备方法，其特征在于，所述晶圆为具有缓坡状边缘晶圆。