[发明专利]一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202111145870.4 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114093936A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 刘建;张培健;税国华;刘青;朱坤峰;黄磊;王鹏飞;赵明琪 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 多晶 发射极 双极结型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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