[发明专利]一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：包括P型衬底(100)、所述N型埋层(101)、N型外延层(102)、N型穿透区(103)、场氧层(104)、预氧层(105)、P型基区(106)、TEOS金属前介质层(107)、多晶硅集电极(108)、多晶硅基极(109)、多晶硅发射极(110)、注入发射区(111)、注入集电区(112)、注入基区(113)、集电极金属(114)、基极金属(115)和发射极金属(116)。

所述N型埋层(101)位于P型衬底(100)上表面；

所述N型外延层(102)位于P型衬底(100)之上；所述N型外延层(102)与P型衬底(100)和N型埋层(101)相接触。

所述N型穿透区(103)与N型外延层(102)相接触，所述N型穿透区(103)的底部与N型埋层(101)的顶部相连；所述N型穿透区(103)与P型基区(106)不接触；

所述场氧层(104)位于N型外延层(102)之上；所述场氧层(104)位于P型基区(106)与N型穿透区(103)之间；

所述预氧层(105)位于场氧层(104)之上；

所述P型基区(106)位于N型外延层(102)上表面；

所述TEOS金属前介质层(107)覆盖在双极结型晶体管表面未开设多晶刻蚀孔的位置；

所述多晶硅集电极(108)位于N型注入集电区(112)的多晶刻蚀孔内，且覆盖所有N型注入集电区(112)；

所述多晶硅集电极(108)与预氧层(105)、TEOS金属前介质层(107)、N型穿透区(103)中的N型注入集电区(112)相接触；

所述多晶硅基极(109)位于N型注入基区(113)的多晶刻蚀孔内，且覆盖所有N型注入基区(113)；

所述多晶硅发射极(110)位于N型注入发射区(111)的多晶刻蚀孔内，且覆盖所有N型注入发射区(111)；

所述N型注入发射区(111)位于P型基区(106)中，位于多晶硅发射极(110)之下，与多晶硅发射极(110)接触；

所述N型注入集电区(112)位于N型穿透区(103)中，位于多晶硅集电极(108)之下，与多晶硅集电极(108)接触；

所述P型注入基区(113)位于P型基区(106)中，位于多晶硅基极(109)之下，与多晶硅基极(109)接触；

所述集电极金属(114)位于多晶硅集电极(108)之上，与多晶硅集电极(108)相接触；

所述基极金属(115)位于多晶硅基极(109)之上，与多晶硅基极(109)相接触；

所述发射极金属(116)位于多晶硅发射极(110)之上，与多晶硅发射极(110)相接触。

2.根据权利要求1所述的一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：所述P型衬底(100)和N型外延层(103)的材料包括体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅。

3.根据权利要求1所述的一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：所述多晶硅发射极晶体管为PNP晶体管。

4.根据权利要求1所述的一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：多晶硅集电极(108)、多晶硅基极(109)、多晶硅发射极(110)均包括一个或者多个重复的结构单元。

5.根据权利要求1所述的一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：所述N型埋层(101)位于P型衬底(100)上表面的中间，与P型衬底(100)的侧壁不接触。

6.根据权利要求1所述的一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：所述多晶刻蚀孔分别位于N型注入发射区(111)之内、P型注入基区(113)之内、N型注入集电区(112)之内；所述多晶刻蚀孔分别与N型注入发射区(111)、P型注入基区(113)、N型注入集电区(112)相接触。

7.根据权利要求1所述的一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管，其特征在于：所述N型注入发射区(111)、N型注入集电区(112)、P型注入基区(113)呈条状分布。