[发明专利]设计磁障内永磁体长度的方法、系统、终端及存储介质有效

专利信息
申请号: 202111144744.7 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN113890291B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 王亚玮;程宇航;曲荣海 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H02K15/03 分类号: H02K15/03;G06F30/20
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 胡秋萍
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种设计磁障内永磁体长度的方法及其系统,其方法包括:根据转子结构建立如下等效磁路模型:第i层磁障和嵌于该磁障内的永磁体等效为并联结构且具有第i等效磁阻R′mi,穿过第i等效磁阻R′mi的磁通为第i等效磁通Φ′mi;穿过第i气隙磁阻Rgi的磁通为第i气隙磁通Φgi,前i层磁障至定子的磁路等效于前i‑1层的磁路与第i气隙磁阻Rgi并联后再与第i等效磁阻R′mi串联;第i层永磁体剩磁磁通Φremi包括第i等效磁通Φ′mi和第1至第i气隙磁通;获取第i气隙磁密Bavgi,根据第i气隙磁密和等效磁路模型求解第i层的永磁体长度。根据转子结构建立磁路等效模型,可以快速地确定多层磁障内不同永磁体的长度,极大地提高了电机设计初期永磁体用量的评估效率。
搜索关键词: 设计 磁障内 永磁体 长度 方法 系统 终端 存储 介质
【主权项】:
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