[发明专利]一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111144415.2 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113870922A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李洋;孙昭媛;赵泽;徐成彦;甄良 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 王新雨 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法，属于电子和光电子领域。所述复合型器件包括金属、二维硒化铟、二维硒化镓、栅极介质层。本发明器件采用但不限于机械剥离的方法获得二维纳米片，器件自下而上分别为栅极介质层、二维硒化镓和二维硒化铟层，金属电极与二维硒化铟层接触，金属电极采用但不限于热蒸镀的方法制备。本发明通过调节异质结界面处的能带排列及电荷转移的方式，构筑同时兼备电存储、光存储的GaSe/InSe多功能器件，具有永久光电流和负光电导存储特性，简化了器件结构，实现功能器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gase inse 异质结 存储 复合型 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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