[发明专利]一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件，其特征在于：所述复合型器件包括两个金属电极、二维硒化铟、二维硒化镓、栅极介质层；器件自下而上分别为栅极介质层、二维硒化镓层和二维硒化铟层，二维硒化铟层上有两金属电极与之接触，金属电极之间具有沟道，沟道宽度为5～30μm。

2.根据权利要求1所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件，其特征在于：所述栅极介质层的材料为SiO₂、HfO₂、Al₂O₃、蓝宝石中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件，其特征在于：所述沟道的宽度为10-20μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件，其特征在于：所述金属电极为金、银、铂、钯、铬、钛中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件，其特征在于：所述二维硒化镓层的厚度为10～30nm，所述二维硒化铟层的厚度为10～20nm。

6.根据权利要求2～5任一项所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件，其特征在于：所述金属通过真空蒸镀或磁控溅射镀膜制备，通过直接沉积或干法转移的方式与二维材料相接触，二维材料通过机械剥离相应材料单晶块体材料、气相沉积法或分子束外延方法制备。

7.一种权利要求1～6任意一项所述的基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

步骤1、将获得的二维硒化镓和二维硒化铟纳米片分别负载于载体上，通过光学显微镜选择厚度合适的纳米片；

步骤2、通过转移方法将负载于载体上的二维硒化镓纳米片转移至带有300nm氧化层的硅基底上，再将二维硒化铟纳米片转移至二维硒化镓层上，得到GaSe/InSe异质结；

步骤3、将步骤2中GaSe/InSe异质结沟道区域用掩膜遮盖，采用真空蒸镀技术制备金属电极。

8.根据权利要求7所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件的制备方法，其特征在于：步骤1中，对于机械剥离方法得到的二维材料，通过粘贴方式负载于聚二甲基硅氧烷表面；对于气相沉积或外延生长得到的二维材料，通过旋涂聚甲基丙烯酸甲酯薄膜后刻蚀掉生长基底，使二维材料负载到PMMA表面。

9.根据权利要求7所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件的制备方法，其特征在于：步骤2中，所述转移方法为干法转移或湿法转移方法。

10.根据权利要求7所述的一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述掩膜为硬掩模或光刻胶掩膜。