[发明专利]集成电路芯片的电容器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111142312.2 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113764583A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吕南畿;蒋振劼;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本公开的一些实施例，集成电路芯片的电容器结构包括绝缘层、第一电极和第二电极。绝缘层包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过绝缘隔板与第一沟槽分离的第二沟槽。第一电极设置在第一沟槽中。第二电极设置在第二沟槽中。第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道。第二电极设置在螺旋沟道内。本发明的实施例还提供了另一种集成电路芯片的电容器结构以及制造集成电路芯片的电容器结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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