[发明专利]集成电路芯片的电容器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片的电容器结构，包括：

绝缘层，包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过所述绝缘隔板与所述第一沟槽分离的第二沟槽；

第一电极，设置在所述第一沟槽中；

第二电极，设置在所述第二沟槽中，其中，所述第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道，并且所述第二电极设置在所述螺旋沟道内以使所述第一电极环绕所述第二电极，所述第一电极、所述第二电极、所述第一沟槽和所述第二沟槽的顶面共面；

第一接触柱和第二接触柱，所述第一接触柱接触所述第一电极的沿螺旋轨迹布置部分的顶面，所述第二接触柱接触所述第二电极的沿螺旋轨迹布置部分的顶面。

2.根据权利要1所述的电容器结构，其中，所述第一电极和所述第二电极彼此平行。

3.根据权利要1所述的电容器结构，其中，所述绝缘隔板具有恒定的宽度。

4.根据权利要1所述的电容器结构，其中，所述绝缘隔板的高度大于所述绝缘隔板的宽度。

5.根据权利要1所述的电容器结构，其中，所述集成电路芯片包括具有多个半导体部件的衬底和设置在所述衬底上的互连层，所述互连层包括多个金属布线层并且所述电容器结构设置在相邻的两个所述金属布线层之间。

6.根据权利要1所述的电容器结构，还包括覆盖所述绝缘层、所述第一电极和所述第二电极的覆盖绝缘层。

7.根据权利要1所述的电容器结构，还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘层，其中，所述第一接触柱和所述第二接触柱穿过所述蚀刻停止层。

8.根据权利要1所述的电容器结构，其中，所述第一接触柱的延伸深度与所述第二接触柱的延伸深度相等。

9.一种集成电路芯片的电容器结构，包括：

绝缘层，包括绝缘隔板并具有第一螺旋形沟槽和通过所述绝缘隔板与所述第一螺旋形沟槽分离的第二螺旋形沟槽；

第一螺旋形电极，设置在所述第一螺旋形沟槽内；

第二螺旋形电极，设置在所述第二螺旋形沟槽内；

覆盖绝缘层，覆盖所述绝缘层、所述第一螺旋形电极和所述第二螺旋形电极，其中，所述第一螺旋形电极环绕所述第二螺旋形电极，所述螺旋形第一电极、所述螺旋形第二电极、所述第一螺旋形沟槽和所述第二螺旋形沟槽的顶面共面；以及

第一导电通孔和第二导电通孔，穿过所述覆盖绝缘层，分别接触所述第一螺旋形电极和所述第二螺旋形电极的螺旋形部分的顶面。

10.一种制造集成电路芯片的电容器结构的方法，包括：

图案化绝缘层以形成第一沟槽和与所述第一沟槽分离的第二沟槽，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽从所述绝缘层的顶部表面向下延伸；

将导电材料填充到所述第一沟槽和所述第二沟槽中以分别形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道，并且所述第二电极设置在所述螺旋沟道内以使所述第一电极环绕所述第二电极，所述第一电极、所述第二电极、所述第一沟槽和所述第二沟槽的顶面共面；以及

形成接触所述第一电极的沿螺旋轨迹布置部分的顶面的第一导电通孔，并形成接触所述第二电极的沿螺旋轨迹布置部分的顶面的第二导电通孔。