[发明专利]一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法在审
| 申请号： | 202111140632.4 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871327A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 任军;徐培;吕向东;盛荣华;李政达 | 申请（专利权）人： | 恒烁半导体（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/60 |
| 代理公司： | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人： | 袁浩 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法，包括在设有焊盘结构的晶圆上沉积钝化层、制备焊盘刻蚀开口并刻蚀、灰化处理后采用不含氢氟酸的DSP混合酸进行清洗、将清洗后的晶圆转移至专用晶舟盒中、填充氮气并基于此完成晶圆后续制备工艺的步骤；本发明能够有效避免芯片晶圆焊盘形成结晶缺陷，减少了因此造成的返工和晶圆报废，降低了成本，同时大大提高半导体键合、封装质量与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 盘结 缺陷 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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