[发明专利]一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法在审
申请号: | 202111140632.4 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113871327A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 任军;徐培;吕向东;盛荣华;李政达 | 申请(专利权)人: | 恒烁半导体(合肥)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/60 |
代理公司: | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人: | 袁浩 |
地址: | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 盘结 缺陷 制造 方法 | ||
1.一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在设有焊盘结构的晶圆上沉积钝化层,制备焊盘刻蚀开口并刻蚀去除位于开口下方的钝化层;
对晶圆表面进行灰化处理后采用不含氢氟酸的DSP混合酸进行清洗;
将清洗后的晶圆转移至专用晶舟盒中,使用氮气气流排出晶舟盒中气体直至氮气填充盈满;
以专用晶舟盒为流转贮存载体完成晶圆后续制备工艺的步骤。
2.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述钝化层包括由上下设置的氮化硅层和二氧化硅层;
所属二氧化硅层的厚度为
所述氮化硅层的厚度为
3.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述焊盘为铝焊盘,所述铝焊盘为
4.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述制备焊盘刻蚀开口具体为采用焊盘开口的光罩和光刻胶执行光刻工艺的步骤以形成焊盘刻蚀开口。
5.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述刻蚀去除位于开口下方的钝化层采用干法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述灰化处理具体为采用氧气高温灼烧去除晶圆表面剩余光刻胶和刻蚀产生的残留有机物。
7.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述不含氢氟酸的DSP混合酸按照重量比H2O:H2SO4:H2O2=40-60:2-4:6-8配比组成。
8.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述专用晶舟盒中氮气使用量为20-200升。
9.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,所述晶圆后续制备工艺包括烘烤、紫外光照射、晶圆电性测试和出厂光学检测。
10.根据权利要求1所述的一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法,其特征在于,在清洗前的各制备工艺步骤中采用混用晶舟盒作为流转贮存载体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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