[发明专利]一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法、电路以及其应用

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法、电路以及其应用，所述方法包括设置冗余位线，并按照其区域至少覆盖存储阵列单元字线的边缘区域匹配制作位线的光罩，制备存储阵列单元的位线层，沉积形成用于制作字线的多晶硅层，并使用字线的光罩来制作字线层；本发明在不增加工序和芯片面积的同时，可以有效改善字线边缘的断裂的缺陷情况的出现，大大提高了芯片的良率，具有切实意义上的实用价值。