[发明专利]一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法、电路以及其应用

权利要求书

1.一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法，其特征在于，所述方法包括：

设置冗余位线，并按照其区域至少覆盖存储阵列单元字线的边缘区域匹配制作位线的光罩；

制备存储阵列单元的位线层；

沉积形成用于制作字线的多晶硅层，并使用字线的光罩来制作字线层。

2.根据权利要求1所述的一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法，其特征在于，所述位线层制备包括：在制备完成浅沟道隔离层的晶圆上沉积形成用于制作位线的多晶硅层，并使用所述位线的光罩来制作位线层。

3.根据权利要求1所述的一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法，其特征在于，所述位线层包括若干位线多晶硅，所述字线层包括若干字线多晶硅，所述位线多晶硅和字线多晶硅间制备有隔离层。

4.根据权利要求1所述的一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法，其特征在于，所述冗余位线数量为8-20根。

5.根据权利要求1所述的一种改善字线边缘缺陷的存储阵列制造方法，其特征在于，所述方法还包括在所述字线上方制作用于连接字线和金属层的接触孔。

6.一种浮栅型闪存电路的制备方法，其特征在于，包括如权利1-5中任意一项所述的存储阵列制造方法。

7.一种浮栅型闪存电路，包括存储阵列单元，其特征在于，所述存储阵列单元采用如权利1-5中任意一项所述的方法制造而成。

8.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求7所述的浮栅型闪存电路。

9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的芯片。