[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111138938.6 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115881540A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 苏博;于海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于部分所述基底表面的鳍部，以及位于所述鳍部顶部表面的硬掩膜层；去除所述硬掩膜层；去除所述硬掩膜层后，采用外延生长工艺在所述鳍部表面形成第一保护层；形成所述第一保护层后，在所述衬底表面形成隔离结构层，所述隔离结构层位于部分所述鳍部侧壁，且所述隔离结构层顶部表面低于所述鳍部顶部表面。在形成第一保护层前，去除硬掩膜层，使所述鳍部表面具有均匀的第一保护层材料的外延生长点，利于提高所形成的第一保护层的均匀性，且避免了外延生长工艺中可能引入的刻蚀过程给所述鳍部带来的刻蚀损伤，从而提高了工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
