[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括基底、位于部分所述基底表面的鳍部，以及位于所述鳍部顶部表面的硬掩膜层；

去除所述硬掩膜层；

去除所述硬掩膜层后，采用外延生长工艺在所述鳍部表面形成第一保护层；

形成所述第一保护层后，在所述衬底表面形成隔离结构层，所述隔离结构层位于部分所述鳍部侧壁，且所述隔离结构层顶部表面低于所述鳍部顶部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层的方法包括：在所述衬底表面形成覆盖层，所述覆盖层暴露出所述硬掩膜层顶部；以所述覆盖层为掩膜，去除所述硬掩膜层；去除所述硬掩膜层后，去除所述覆盖层。

3.如权利要求2所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在形成所述覆盖层前，还包括：在所述衬底表面形成第二保护层。

4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括介质材料，所述介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括含碳材料，其中，碳原子的百分比浓度范围值为15％至80％。

6.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第二保护层的形成工艺包括原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。

7.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述覆盖层还暴露出所述硬掩膜层表面的部分所述第二保护层，在形成所述覆盖层后，且在去除所述硬掩膜层前，还包括：去除暴露出的所述第二保护层，使部分所述硬掩膜层表面暴露。

8.如权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述覆盖层暴露出的所述第二保护层的工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一者或两者的结合。

9.如权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述覆盖层暴露出的所述第二保护层的工艺包括等离子刻蚀工艺，所述等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括氟化碳、氧气、氢氟化碳，无偏置电压或低频偏置电压，所述低频偏置电压的功率范围为低于或等于100瓦。

10.如权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在去除所述覆盖层后，且在形成所述第一保护层前，还包括：去除所述衬底表面的所述第二保护层，以使所述鳍部表面暴露。

11.如权利要求10所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述衬底表面的所述第二保护层的工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一者或两者的结合。

12.如权利要求10所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述衬底表面的所述第二保护层的工艺包括等离子刻蚀工艺，所述等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括第一刻蚀气体，所述第一刻蚀气体包括含氟、含氯、含溴的气体。

13.如权利要求12所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体还第二刻蚀气体，所述第二刻蚀气体包括氧化硫、氧气、氩气、氦气、二氧化碳中的一者或多种。

14.如权利要求2所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料与所述硬掩膜层的材料不同，所述覆盖层的材料包括旋涂碳、底部抗反射材料。

15.如权利要求2所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料与所述硬掩膜层的材料不同，所述覆盖层的材料包括介质材料；所述介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。