[发明专利]一种叠层电荷俘获型突触晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种叠层电荷俘获型突触晶体管及其制备方法，其电荷俘获层利用氮化硅缺陷能级浅和高k氧化物缺陷能级深的特点，对材料进行组合以同时实现长时程模拟和短时程模拟。不同的高k氧化物叠层做电荷俘获层的界面处在高温工艺下相互渗透产生更丰富的界面陷阱，提高了存储窗口；不同禁带宽度材料循环叠层形成势阱，更易改变突触权重，提高了可操作性。该突触晶体管采用的围栅硅纳米线结构内层电场分布集中，外层电场相对较小，使得器件在编程时注入电流增大，擦除时背栅注入电流减小，提高了器件的操作速度，降低了操作电压；通过调整电荷俘获层各层的厚度及配比可以实现性能最大化，具有应用到未来大规模神经网络计算系统中的潜力。