[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法在审
| 申请号： | 202111133848.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113862623A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F9/04;B22F3/14;C22C27/04 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钨硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钨粉和硅粉的混粉进行高能球磨，得到初合金粉；(2)将步骤(1)得到的初合金粉置于模具中并进行抽真空处理，之后依次进行第一热处理、保温保压和冷却，得到所属钨硅靶坯。本发明提供的技术方案通过将高能球磨和特定的烧结过程相结合，实现了高性能钨硅合金靶坯的制备，解决了钨硅合金靶坯在作为靶材使用时溅射膜表面会产生微粒的问题。溅射过程总所得溅射膜具有良好的均匀性，所得薄膜具有良好的表面性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钨硅靶坯 制备 方法 | ||
【主权项】：
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